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北京赛米莱德贸易有限公司

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PR1 1500A1光刻胶公司服务为先「赛米莱德」

发布时间:2022-06-30 13:53:58        







负性光刻胶

负性光刻胶

    负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

    A、粘性增强负性光刻胶

    粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力;很容易用光胶剥离器去除,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长***。

    粘性增强负胶对生产量的影响,消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性胶。优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

    i线***用粘度增强负胶系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h线***用粘度增强负胶系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工负胶

    加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长***。

    加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。30.想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求,进口的有没有比较好的光刻胶啊。

    用于i线***的加工负胶系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。


NR9-3000PYPR1 1500A1光刻胶公司

五、***

在这一步中,将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应,从而使正光刻胶被照射区域(感光区域)、负光刻胶未被照射的区域(非感光区)化学成分发生变化。虽然在甩胶之后,液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易沾污灰尘。这些化学成分发生变化的区域,在下一步的能够溶解于特定的显影液中。

在接受光照后,正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应,变为乙烯酮,并进一步水解为茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid, CA),羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍,产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。企业持续发展也需投入较大的资金,光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒,国外光刻胶厂商相对于国内厂商,其公司规模更大,具有资金和技术优势。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。

***方法:

a、接触式***(Contact Printing)掩膜板直接与光刻胶层接触。

b、接近式***(Proximity Printing)掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。

c、投影式***(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现***。

d、步进式***(Stepper)


NR77-20000P

正胶PR1-2000A1技术资料

正胶PR1-2000A1是为***波长为365 或者436纳米,可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求,在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂,如HMDS。

相对于其他的光刻胶,PR1-2000A1有如下的一些额外的优势:

PEB,不需要后烘的步骤;

较高的分别率;

快速显影;

较强的线宽控制;

蚀刻后去胶效果好;

在室温下有效期长达2年。



NR9-1000py

问题回馈:

1.我们是LED制造商,麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知,Futurrex

有几款胶很,NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2.请问有没有可以替代goodpr1518,Micropure去胶液和goodpr显影液的产品?

A 美国光刻胶,Futurrex

正胶PR1-2000A

, 去胶液RR4,和显影液RD6可以解决以上问题。

3.你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品?

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A , 它有几个优点:比较好的解析度,比较好的线宽控制,

反射比较少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

4. 求助,耐高温的光阻是那一种?

A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻),再经过HMCTS

silyiation process,可以达到耐高温200度,PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

5.厚膜光阻在镀金应用上,用哪一种比较理想?

A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的湿膜更加适合,和理想。

6.请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合?

A 可以考虑使用Futurrex

,正型光阻PR1,负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7.请问,那位知道,RIE

Mask,用什么光阻比较好?

A 正型光阻用PR1系列,负型光阻使用NR5,两种都可以耐高温180度。

8.一般厚膜制程中,哪一种光阻适合?

A NR9-8000P有很高的深宽比(超过4:1),一般厚膜以及,MEMS产品的高需求。

9.在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗?

A 建议不使用,因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10.我们是OLED,我们有一种制程上需要一层SPACER,那种光阻适合?

A 有一种胶很适合,美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers



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