NR9 1500PY光刻胶报价免费咨询「赛米莱德」

光刻胶去除

半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、***和显影等步骤。

在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。

而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。在光刻胶的生产上，我国主要生产PCB光刻胶，LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，2015年据统计我国光刻胶产量为9。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。

这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。AFuturrex,NR7serious(负光阻)Orpr1serious(正光阻)，再经过HMCTSsilyiationprocess,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

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四、前烘（Soft Bake）

完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。

在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。goodpr是大陆比较多公司采用的，但是Futurre光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也比较厚从18um-200um都可以做到，看你对工艺的要求了。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。

在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。

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9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中，感光剂是光敏化合物，***常见的是重氮萘醌（DNQ）。负胶，98%H2SO4+H2O2+胶=CO+CO2+H2O,正胶：BIN酮,干法去胶（ash）氧气加热去胶O2+胶=CO+CO2+H2O,等离子去胶Oxygenpla***a ashing,高频电场O2---电离O- + O+,  O+活性基与胶反应CO2，CO， H2O, 光刻检验

美国Futurre光刻胶

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，

但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶品牌FUTURRE光刻胶产品属性：

1  FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:

1.1   Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）

1.2  负性光刻胶常温下可保存3年

1.3  150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4  单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5  显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟