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光刻胶介绍

光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。

以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过***(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短***波长以极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及达到EUV(<13.5nm)线水平。

目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断。

NR9-3000PY

11．请教~有没有同时可以满足RIE

process 和Lift-off

process的光阻，谢谢！

A 我们推荐使用Futurrex

NR1-300PY来满足以上工艺的需求。

12．Futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？

A NR9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。

13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？

A NR9-8000因为有很高的AR比例，适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。

14．传统的Color

filter 制程，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作Coior

filter?

A 用于Silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要Reflow, 颜色也不会老化改变，只需要在Filter上面加热溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！

15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？

A 美国Futurrex公司，专门生产应用***的，可以为平坦化的材料提供PC3-6000和P***-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。

16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布PROTECTIVE

COATING，那种适合？？

A 推荐美国Futurrex，P***-10000。

17．腊是用来固定芯片的，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？

A 我们公司是使用Futurrex

PC3-6000,可以替代的，而且去除比较容易，你可以试用下。

18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与MEMS应用的光刻胶吗？

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，如果是其他非镀镍衬底NR9-8000P是适合的选择。

19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？

A 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，NR4-8000P是专门为光波导图案应用进行设计的产品。

光刻胶

光增感剂

是引发助剂，能吸收光能并转移给光引发剂，或本身不吸收光能但协同参与光化学反应，起到提高引发效率的作用。

光致产酸剂

吸收光能生成酸性物质并使***区域发生酸解反应，用于化学增幅型光刻胶。

助剂

根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。

主要技术参数

分辨率（resolution）

是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。